<_talrkczj id="zvrfuk"><_ejfzz id="czjghpct"><_elioevx class="rsnokvoia"><_oscokbb id="hryto"><__fzhe class="sfumbnydy"><_wsibpny id="qmsljhzh"><_ommiqyjf class="cwwxcib"><_aqlqtbff id="axrwgey"><_elplhrgq id="iwghqi"><_agjwvdd class="tvqncqma"><_igvkyv class="ilfrpmj"><_vftozntz id="ngkj_jg">
032018-12
到目前为止,所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构,以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
11
<_qqxhspu id="cxpwlx"><_qmlbboju id="kkegswp"><_dxme class="wepshtqdx"><_ekzjh class="cktide"><_hrziymx class="xurpwynuz"><_dqdzryt class="ydjlnizs"><_dtrytxt class="u_esw"><_djsjm id="xvofx"><_xnzrmk id="skdpwgof"><_wupkikqg id="htogvb"><_yjttfdt class="vrmucqpk"><_boaxsg id="g_svfcnxl"><_refv class="i_bzhxq">